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LN1F19B

TruePSR™ 内置 MOS 产品; 70kHz 开关频率; SOP8 封装; 内置 650V 1.1Ω MOSFET; 30W 输出功率容量; 稳压精度 3%; 恒流精度 5%;

LN1F19B 是一颗内置型 TruePSR™ 功率开关产品,集成 650V 1.1Ω MOSFET,最大输出功率高达 30W,70kHz 最大开关频率提供最佳化转换效率,具有恒压恒流输出特性,典型恒压精度 3%,恒流精度 5%,采用无卤绿色环保标准 SOP8 封装

LN1F19B 具有优异的动态负载响应特性,10%~90% 负载下动态波动小于 5%,是极佳的适配器电源架构选择。

LN1F19B 采用全程谷底开关控制,内置高级能效处理电路,使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。

LN1F19B 典型电参数如下:

型号

开关频率

VDD 范围

FB 电压

工作模式

最大泄放占空比

最大开关电流

LN1F19B

70kHz

9~25V

4.05V

DCM+QR

50%

4.5A


LN1F19B 使用 SOP8 封装形式,芯片脚位定义如下:

image.png

LN1F19B 系列化产品线可提供从 5~40W 全系列产品,相互引脚兼容,可方便地设计用于系列整机产品,并根据需要使用最适合的型号选择,最大化经济性,有效提高产品竞争力。

这些系列产品包括如下主要型号:

型号

输出功率

MOS 规格

封装形式

传送门

LN1F16

5W

650V, 9Ω

SOP8

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LN1F17

10W

650V, 4.7Ω

SOP8

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LN1F18

15W

650V, 3.3Ω

SOP8

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LN1F19

20W

650V, 2.1Ω

SOP8

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LN1F19A

25W

650V, 1.6Ω

SOP8

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LN1F19B

30W

650V, 1.1Ω

SOP8

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LN1F19C

36W

650V, 0.55Ω

SOP8

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规格书下载:

1-2205041H64A03.png LN1F19B





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