LN1F19B
TruePSR™ 内置 MOS 产品; 70kHz 开关频率; SOP8 封装; 内置 650V 1.1Ω MOSFET; 30W 输出功率容量; 稳压精度 3%; 恒流精度 5%;
LN1F19B 是一颗内置型 TruePSR™ 功率开关产品,集成 650V 1.1Ω MOSFET,最大输出功率高达 30W,70kHz 最大开关频率提供最佳化转换效率,具有恒压恒流输出特性,典型恒压精度 3%,恒流精度 5%,采用无卤绿色环保标准 SOP8 封装。
LN1F19B 具有优异的动态负载响应特性,10%~90% 负载下动态波动小于 5%,是极佳的适配器电源架构选择。
LN1F19B 采用全程谷底开关控制,内置高级能效处理电路,使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。
LN1F19B 典型电参数如下:
型号 | 开关频率 | VDD 范围 | FB 电压 | 工作模式 | 最大泄放占空比 | 最大开关电流 |
LN1F19B | 70kHz | 9~25V | 4.05V | DCM+QR | 50% | 4.5A |
LN1F19B 使用 SOP8 封装形式,芯片脚位定义如下:
LN1F19B 系列化产品线可提供从 5~40W 全系列产品,相互引脚兼容,可方便地设计用于系列整机产品,并根据需要使用最适合的型号选择,最大化经济性,有效提高产品竞争力。
这些系列产品包括如下主要型号:
型号 | 输出功率 | MOS 规格 | 封装形式 | 传送门 |
LN1F16 | 5W | 650V, 9Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F17 | 10W | 650V, 4.7Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F18 | 15W | 650V, 3.3Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F19 | 20W | 650V, 2.1Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F19A | 25W | 650V, 1.6Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F19B | 30W | 650V, 1.1Ω | SOP8 | 点击查看 |
LN1F19C | 36W | 650V, 0.55Ω | SOP8 | 点击查看 |
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