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LN1F35

TruePSR™ 内置 HVBJT 产品; 70kHz 开关频率; SOP8 封装; 内置 850V 1.5A 三极管; 10W 输出功率容量; 稳压精度 5%; 恒流精度 5%;

LN1F35 是一颗内置型 TruePSR™ 功率开关产品,集成 800V HVBJT 高压三极管,最大输出功率高达 10W,70kHz 最大开关频率,具有恒压恒流输出特性,典型恒压精度 5%,恒流精度 5%,采用无卤绿色环保标准 SOP8 封装

LN1F35 具有优异的动态负载响应特性,10%~90% 负载下动态波动小于 5%,是高性价比充电器、适配器电源的极佳选择。

LN1F35 采用全程谷底开关控制,高效率低 EMI .

LN1F35 典型电参数如下:

型号

开关频率

VDD 范围

FB 电压

工作模式

最大泄放占空比

最大开关电流

LN1F35

70kHz

6~18V

3.00V

DCM+QR

50%

1.2A


LN1F35 使用 SOP8 封装形式,芯片脚位定义如下:

image.png

LN1F35 系列化产品线可提供从 5~18W 全系列产品,相互引脚兼容,可方便地设计用于系列整机产品,并根据需要使用最适合的型号选择,最大化经济性,有效提高产品竞争力。

这些系列产品包括如下主要型号:

型号

输出功率

HVBJT 规格

封装形式

传送门

LN1F32A

3.5W

850V, 0.6A

SOP8

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LN1F33A

5W

850V, 0.8A

SOP8

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LN1F34A

7.5W

850V, 1.0A

SOP8

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LN1F35

10W

850V, 1.5A

SOP8

/

LN1F36

12W

850V, 2.0A

SOP8

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LN1F36XL

18W

850V, 3.0A

SOP8

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规格书下载:

1-2205041H64A03.png LN1F35





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