LN9T27KD
PDPAK8 高导热封装； 专为快充应用而设计； 内置 680V 0.36Ω SJMOS； 30~45W USB PD/PPS/QC 充电器应用优选；快速打造高效率低成本系统；
PDPAK8 高导热封装； 专为快充应用而设计； 内置 680V 0.36Ω SJMOS； 30~45W USB PD/PPS/QC 充电器应用优选；快速打造高效率低成本系统；
LN9T27KD 是一款内置 SJMOS 的高功率 PDPAK8 封装 SSR PWM 功率开关产品，专为快充应用而设计，芯片内置 700V MOSFET，RdsON 低至 0.36Ω，高导热封装为小体积应用提供显著优化，系统热特性优异。
芯片内置振荡器并具有 65kHz 最大频率限制，支持 CCM/DCM 操作，配合合适的开关频率范围，有效优化系统转换效率，搭配力生美 LN5S100Dxx 系列同步整流 IC 可构建全套 PDPAK8 封装系统解决方案，打造高效率快充系统，可实现高达 93% 的系统转换效率。
芯片内置输出过载与开环保护，芯片过温度保护，电源过欠压保护，并带有逐周期电流限制功能，有效提高系统安全性和运行可靠性。
搭配力生美超易用的 VCC 限压器 LN3210 或 LN3220 可快速构建 3.3~21V 的超宽输出电压范围快充电源，简单好用易用。
专门开发的高隔离 PDPAK8 封装，在满足高低压引脚间安全隔离距离的同时，极大地增强了芯片导热与散热能力，从而实现优秀的系统热性能。
芯片引脚功能定义如下表所示。
LN9T27KD 系列还具有多种不同的 RdsON 芯片组合，从 0.55Ω 直到 0.25Ω，这些芯片均引脚兼容，方便应用中互换使用，提高系统设计应用灵活性，便于设计系列化电源。
LN9T27xD 系列产品的主要电参数差异如下表所示：
| 型号 | 封装形式 | MOS 规格 | VCC 范围 | 推荐应用功率 |
| LN9T27GD | PDPAK8 | 680V，0.55Ω | 9~28V | 20~30W |
| LN9T27GDH | PDPAK8 | 680V，0.55Ω | 9~40V | 20~30W |
| LN9T27KD | PDPAK8 | 680V，0.36Ω | 9~28V | 30~45W |
| LN9T27PD | PDPAK8 | 680V，0.25Ω | 9~28V | 45~65W |
规格书下载:
 LN9T27KD 规格书 |
