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LN9T27KD

PDPAK8 高导热封装; 专为快充应用而设计; 内置 680V 0.36Ω SJMOS; 30~45W USB PD/PPS/QC 充电器应用优选;快速打造高效率低成本系统;

LN9T27KD 是一款内置 SJMOS 的高功率 PDPAK8 封装 SSR PWM 功率开关产品,专为快充应用而设计,芯片内置 700V MOSFET,RdsON 低至 0.36Ω,高导热封装为小体积应用提供显著优化,系统热特性优异。

芯片内置振荡器并具有 65kHz 最大频率限制,支持 CCM/DCM 操作,配合合适的开关频率范围,有效优化系统转换效率,搭配力生美 LN5S100Dxx 系列同步整流 IC 可构建全套 PDPAK8 封装系统解决方案,打造高效率快充系统,可实现高达 93% 的系统转换效率。

芯片内置输出过载与开环保护,芯片过温度保护,电源过欠压保护,并带有逐周期电流限制功能,有效提高系统安全性和运行可靠性。

搭配力生美超易用的 VCC 限压器 LN3210 或 LN3220 可快速构建 3.3~21V 的超宽输出电压范围快充电源,简单好用易用。

专门开发的高隔离 PDPAK8 封装,在满足高低压引脚间安全隔离距离的同时,极大地增强了芯片导热与散热能力,从而实现优秀的系统热性能。

芯片引脚功能定义如下表所示。

image.png

LN9T27KD 系列还具有多种不同的 RdsON 芯片组合,从 0.55Ω 直到 0.25Ω,这些芯片均引脚兼容,方便应用中互换使用,提高系统设计应用灵活性,便于设计系列化电源。

LN9T27xD 系列产品的主要电参数差异如下表所示:

型号封装形式MOS 规格VCC 范围推荐应用功率
LN9T27GDPDPAK8680V,0.55Ω9~28V20~30W
LN9T27GDHPDPAK8680V,0.55Ω9~40V20~30W
LN9T27KDPDPAK8680V,0.36Ω9~28V30~45W
LN9T27PDPDPAK8680V,0.25Ω9~28V45~65W

规格书下载:

pdf-logo.png LN9T27KD 规格书


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