LN3C62A/LN3C62B

LN3C62A/LN3C62B 是一款高性能电流模式 PWM 控制器 IC，可以方便地在应用中构建低待机功耗、低成本、高性能的反激电源解决方案。

芯片内置振荡器并具有最大频率限制，典型限制频率为 65kHz，适于设计高转换效率系统设计。

在空载或轻载条件下，IC 可工作在断续模式以减少开关损失，因此可以达到很好的转换效率同时又具有较小的待机功耗，最低待机功耗可低至 50mW.

内置能效处理电路，可轻松满足 DoE level VI 和 CoC V5 最新能效标准要求。

很低的 VDD 启动电流与工作电流可以使芯片拥有非常高的可靠性和使用寿命，一个较大阻值的电阻即可用来完成电路的启动工作，这也减少了启动电阻的损失，进一步降低了系统待机功耗。

内置的电流斜坡补偿功能则极大地优化了电路在较大的 PWM 占空比时的工作稳定性，避免了可能出现的次谐波振荡现象。

内置的前沿消隐电路避免了电感开启电流尖峰对电流采样的干扰以及二极管反向恢复电流的影响，外部则不再需要额外的消隐电路。

芯片还提供了非常完善的具有自动恢复功能的保护电路，包括逐周期电流限制（OCP）、具有高低压补偿功能的输出过载保护（OLP）、VDD过压保护与欠压锁定功能（UVLO）。

LN3C62B 还额外设计了 BIO 功能，提供了精确的输出电压过压保护（TrueOVP™）功能和输入AC电压欠压保护 Brown in/out 功能（TrueUVP™），使系统具有更高的安全性。

栅极驱动输出端的电压会自动被限制在不大于 18V 以保护 MOSFET 的安全，并带有输出软钳位图腾柱技术，在更多应用中可直接用于驱动 MOSFET 栅极而无需额外的复杂栅极电阻网络，系统的 EMI 特性得到了极大的改善，可容易地满足各国的电磁兼容标准要求。

可提供满足无卤绿色环保标准的 SOT23-6 封装形式。

芯片引脚定义如下:

LN3C62A/LN3C62B 电参数及主要差异如下：

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 LN3C62A/LN3C62B 规格书