LN9T26
SSR PWM 功率开关; 内置 650V 4A MOSFET; DIP7/SOP8 封装; 15~25W 输出功率;
LN9T26 是一款高性能电流模式 PWM 功率开关控制器集成电路,专为 AC/DC 隔离直流到直流开关变换器而设计。其内部集成有完整的 PFM/PWM混合控制电路、高达 650V 耐压的功率开关及其驱动电路、故障检测与保护电路、时钟与延时控制电路等,可在 85-265Vac 的宽电网电压条件下,实现大于 25W 的额定输出功率,峰值功率更可高达 30W 以上。完善的内部电路设计,最大程度减少了外部器件数量,仅需极少器件即可实现一个典型的反激式开关电源设计,功能完善的多种故障保护电路,进一步简化了电源设计的难度,降低了系统成本。
芯片内部集成了一个具有最大频率限制功能的时钟发生电路,带有前沿消隐的逐周期电流限制电路,PWM电路,带有软启动功能和 VDD 过欠压保护功能的启动控制电路,带有自适应特性的过热关断电路,输出过流(OCP)、短路(SCP)与过载(OLP)的保护和重启动电路以及开环保护电路等。
通过单独设置的开关波形采样引脚,可实现精确的 TrueOVP™ 输出过压保护功能,即使在输出空载的开环条件下亦可精确限制输出电压在设定水平,从而确保系统安全;通过设置欠压锁定功能则可在输入电压较低时禁止系统启动,从而避免系统持续处于打嗝启动状态,提高用户使用体验。
专有 CTII 控制电路,使系统拥有极低的干扰特性,同时具有低待机功耗和极高的转换效率。
可提供满足 RoHs 要求的无卤绿色环保高隔离 DIP7 和 SOP8 封装。
LN9T26 最大开关频率限制为 65kHz,专为高效率应用而优化。
LN9Txx 系列 DIP7 内置 MOSFET 产品还包括更小功率的产品,相关型号主要电参数差异如下:
型号 | 封装 | 开关频率 | MOS 规格 | 系统输出功率 |
LN9T12A | DIP7 | 65kHz | 680V, 2A, 4.7Ω | 5~15W |
LN9T12B | DIP7 | 100kHz | 680V, 2A, 4.7Ω | 5~15W |
LN9T26 | DIP7 | 65kHz | 650V, 4A, 2.1Ω | 15~25W |
LN9T26M | SOP8 | 65kHz | 650V, 4A, 2.1Ω | 15~25W |
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