LN9T33/LN9T36/LN9T39
SSR 功率开关； 内置 650V MOSFET； 20~75W 输出功率； 精确输出过压保护； AC 输入欠压啊保护； TSIP7/TSIP7A 大功率封装；
SSR 功率开关； 内置 650V MOSFET； 20~75W 输出功率； 精确输出过压保护； AC 输入欠压啊保护； TSIP7/TSIP7A 大功率封装；
主要特点
★ 内部集成 650V MOSFET 功率开关 ★ 满足 DoE Level VI 级及 CoC V5 能效要求 ★ 无负载待机功耗可低至 50mW 以下 ★ 精准的可编程的输出过压保护 (TrueOVP™) ★ 内置振荡器且具有最大 65kHz 频率限制 ★ 内置软启动控制电路降低开关机冲击 ★ 内置第二代 C.T. 技术优化 EMI 性能 ★ 扩展模式轻载控制优化效率与轻载功耗 | ★ 全范围无音频噪音工作方式 ★ 集成的同步电流斜坡补偿功能 ★ VDD 过压钳位与欠压锁定功能 (UVLO) ★ 内置输入线路电压过功率补偿功能 ★ 内置可编程输入欠压保护功能 (TrueUVP™) ★ 具有前沿消隐的逐周期电流限制功能 (OCP) ★ 输出过流、过载、短路保护功能 (OLP) |
应用领域
※ 电源适配器 | ※ 电池充电器 | ※ 机顶盒电源 | ※ 敞开式电源
概述
LN9T33/LN9T36/LN9T39 是一款高性能、高集成度电流模式 PWM 控制器功率开关，内置 650V 高压 MOSFET 功率开关，可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 6 级能效的低待机功耗、低成本、高性能的解决方案。PWM 开关频率由芯片内部设定并具有全温度补偿，其最大值被设定在 65kHz. 在空载或轻载条件下，IC 可工作在智能断续模式以减少开关损失，因此可以达到很好的转换效率同时又具有较小的待机功耗。很低的 VDD 启动电流与工作电流可以使 LN9T3x 拥有非常高的可靠性和使用寿命，一个较大阻值的电阻即可用来完成电路的启动工作，这也减少了启动电阻的损失，进一步降低了系统待机功耗。内置的电流斜坡补偿功能则极大地优化了电路在较大的 PWM 占空比时的可靠性，避免了可能出现的次谐波振荡现象。内置的前沿消隐电路避免了电感开启电流尖峰对电流采样的干扰以及缓冲二极管反向恢复电流的影响。
LN9T3x 还提供了非常完善的具有自动恢复功能的保护电路，包括逐周期电流限制（OCP）、具有高低压补偿功能的输出过载保护（OLP）、VDD过压保护与欠压锁定功能（UVLO）、可外部设定的反馈开环时输出过压精确保护功能（TrueOVPTM）和输入欠压保护功能（ACUVP）。
基于力生美新一代的 smartEnergy™ 技术，系统待机功耗及轻载效率得到极大改善，转换效率在一般应用中均可满足 CoC 及 DoE 6 级能效要求，无负载功耗最低可至 50mW 以下。
通过在输出脉冲中加入力生美独有的第二代 C.T. 专利技术配合特别设计的输出软钳位图腾柱技术，系统的 EMI 特性得到了极大的改善，可容易地满足各国的电磁兼容标准要求。
提供专门设计的 TSIP7/TSIP7A 高隔离封装产品，并满足 RoHs 环保要求。
交叉参考
该系列还提供具有 85V 高压 VCC 供电端子的产品系列，以便应用于较宽输出电压范围的应用。
| 型号 | 封装形式 | 内置 MOS 规格 | VCC 电压端子 | 应用领域 |
| LN9T33 | TSIP7/TSIP7A | 650V, 4A, 2.1Ω | 27V VDD | 10~25W 通用适配器 |
| LN9T36 | TSIP7/TSIP7A | 650V, 7A, 1.3Ω | 27V VDD | 25~45W 通用适配器 |
| LN9T39 | TSIP7/TSIP7A | 650V, 10A, 0.85Ω | 27V VDD | 45~75W 通用适配器 |
| LN9T33HV | TSIP7/TSIP7A | 650V, 4A, 2.1Ω | 27V VDD+85V VCC | 10~25W 宽输出范围充电器 |
| LN9T36HV | TSIP7/TSIP7A | 650V, 7A, 1.3Ω | 27V VDD+85V VCC | 25~45W 宽输出范围充电器 |
| LN9T39HV | TSIP7/TSIP7A | 650V, 10A, 0.85Ω | 27V VDD+85V VCC | 45~75W 宽输出范围充电器 |
规格书下载
LN9T33/LN9T36/LN9T39